Къытай хатырлав ИК санайысына итеклемек ичюн буюк адым атты. 2018 сенеси экинджи ярысында DRAMs ве NAND flucer ни суд чыкъарувына учь буюк къытай ширкети азырлана.ЙМТК, Иннотрон (Hefei Chang Xin) ве JHICC 2018 сенеси экинджи ярысында NAND Flash, мобиль DRAM ве махсус DRAM сынавларыны башламакъ планлаштырыла, деп язылгъан.DRAMeXchange, 1990 сенеси бир болюги.Тренд Форс .. 2019 сенеси биринджи ярысында кутьлевий истисал оладжакъ, бу исе Къытайнынъ биринджи ички чип чыкъарувыны къайд этеджек.
2017 сенеси учюнджи черикте (Q3) Innotron’s fab-те донатмалар ерлештирильди, деп хабер эте DRAMeXchange, амма компания сынав истисалыны Q3 2018- дже кечиктирди, онынъ артындан 2019 сенеси биринджи ярысында (1Н) кутьлевий истисал оладжакъ.
2019 сенеси 1Н-ге къадар Q3 2018 ве кутьлевий истисалгъа къадар озь сынав истисалыны да кечиктирди.
Эм Innotron, эм де JHICC озь илян этильген джедвеллеринде артта къалдылар, деп хабер эте DRAMeXlege.
Иннотрон башкъа сынавларгъа огърай биле. Санаий сейирджилер къытай хатырлав IC япыджылары патентлерни бозмайып я да ортакъ ишхане шериклигини шекиллендирмейип, илери технологияларны ишлеп чыкъа биледжеклерини тюшюнмейлер.
«Иннотрон, корюне ки, энъ яхшы DRAM еткизиджилеринен башлыкънен ярышмакъ истей, LPDDR4 8Gb чиплерини озь биринджи махсулаты оларакъ сечип алмакънен, амма Innotron патентнинъ бозулувынынъ потенциаль меселелери оладжакъ, деди DRAMeXchange. "Дафикъатлардан къачынмакъ ичюн Innotron халкъара къанунларгъа коре танылгъан ИП-лерни топламакъ керек оладжакъ. Даа бир даа хавфсыз ёнелиш — тек энъ башында ички базарда махсулатларны сатмакътыр."
Samsungнинъ капекс масрафлары севиелери "3D NAND флешка я да DRAM базарларында къытай ширкетлери эмиетли оюнджыларгъа чевирильмесине умют этелер», ве «тек кефалет эте ки, бу, буюк бир хатырлав йымшакъ олгъан бир тюрлю ортакъ ишханенинъ бир чешити олмаса, янъы къытай хатырлав стартаплары бугуньки етекчи еткизиджилернен айны севиеде ярышмакъ шансы аздыр», — деди кечкен сене IC Insights ширкетининъ президенти Билл Маклин.
«Онлар озь башына илери технологияларны ишлеп чыкъсалар биле, янъы къытай еткизиджилери, деерлик, Samsung, SK Hynix, Micron ве иляхре тарафындан тутулгъан чокъ сайылы DRAM ве NAND патентлерини бозар эдилер», — деп къошты о.
NAND флеш сегментинде YMTC учь фазада сыралы суретте 3D-NAND флеш-провайдер къурмагъа планлаштыра. Биринджи-фаза 2017 сенеси сентябрь айында 2018 сенеси учюнджи черикте донатмаларны ерлештирювнен битирильди, сонъра дёртюнджи черикте сынав истисалы япылды, деп хабер эте DRAMeXchange. Осюмлик 32{{9}лийер МЛК 3D-NAND Flash истисал этеджек. Ваффер стартлары айда 10 бинъден зияде оладжагъы бекленильмей.
«Экинджи- ве учюнджи-фаза осюмликлерининъ къурулмасы ве оларнынъ истисал планлары YMTC озь 64 къатлы дизайныны мукеммеллештирген сонъ вазиетке коре девам этеджек», — деп, къайд этиле DRAMeXchange.
